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論文

Precise chemical state analyses of ultrathin hafnium films deposited on clean Si(111)-77 surface using high-resolution core-level photoelectron spectroscopy

垣内拓大*; 的場友希*; 小山大輔*; 山本優貴*; 加藤大暉*; 吉越章隆

Surface Science, 701, p.121691_1 - 121691_8, 2020/11

https://doi.org/10.1016/j.susc.2020.121691

被引用回数：1 パーセンタイル：5.82(Chemistry, Physical)

放射光XPSを用いて清浄Si(111)-77表面上に堆積したHf超薄膜の界面および表面の化学状態を調べた。極薄Hf層の成長は、相図のてこ則に従う。Hf/Si(111)には、3つの成分(金属Hf層, Hfモノシリサイド(HfSi)およびSiリッチHfシリサイド)があった。極薄Hf層は、1073Kのアニーリング後、HfSi $_{2}$ アイランドに変化し、長方形形状のアイランドの長軸がSi(111)DASモデルのコーナーホール方向になることが分かった。